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J-GLOBAL ID：200903004100519047

固体撮像装置

Inventor： 山口 鉄也 ,  野崎 秀俊 ,  井原 久典 ,  井上 郁子 ,  山下 浩史 ,  成瀬 宏 ,  猪熊 英幹 ,  柴田 英紀 ,  眞壁 晃 ,  安部 征吾 ,  野町 映子 ,  塩山 善之 ,  堀 幹子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070558
Publication number (International publication number)：1999274455
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】低電圧化しても、フォトダイオードから信号電荷を正確に読み出すことができ、かつ、リーク電流の発生を低減することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成されて光電変換を行うn型半導体層2と、このn型半導体層2の上部表面をシールドするべく形成されたp型半導体層3と、n型半導体層2から信号電荷を読み出すために、n型半導体層2と電気的に接続して半導体基板表面に形成されたn型半導体層4とを有して、n型半導体層4を介してn型半導体層2から信号電荷を読み出すようにした読み出しトランジスタを具備する固体撮像装置であって、p型半導体層3が形成する空乏層と、n型半導体層4が形成する空乏層とが接触しないように、p型半導体層3とn型半導体層4とが所定の距離だけ離して形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成されて光電変換を行う第1の第1導電型の半導体層と、この第1の第1導電型の半導体層の上部表面をシールドするべく形成された第1導電型と逆の第2導電型の半導体層と、前記第1の第1導電型の半導体層から信号電荷を読み出すために、前記第1の第1導電型の半導体層と電気的に接続して半導体基板表面に形成された第2の第1導電型の半導体層と、を有して、前記第2の第1導電型の半導体層を介して前記第1の第1導電型の半導体層から信号電荷を読み出すようにした読み出しトランジスタを具備する固体撮像装置であって、前記第2導電型の半導体層が形成する空乏層と、前記第2の第1導電型の半導体層が形成する空乏層とが接触しないように、前記第2導電型の半導体層と前記第2の第1導電型の半導体層とが所定の距離だけ離して形成されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 P