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J-GLOBAL ID：200903004108592827

CVD処理用ウエハ収容トレー

Inventor： 大山 勝美 ,  蜂谷 昌幸
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995293553
Publication number (International publication number)：1997115840
Application date： Oct. 17, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ウエハのCVD処理において、良好な薄膜を形成するためのウエハ収容トレーを提供する。【解決手段】 導電体、半導体、絶縁物、または表面を絶縁処理した導電体のいずれかを材料としてベース円板3a を成型し、その上面に、段階状または皿状をなし、被処理のウエハ2が嵌入して収容し、底面を粗面または鏡面とする凹部3b を形成して構成される。

Claim (excerpt)：

反応炉の内部に設けた均熱板に載置され、所定の温度に加熱された被処理のウエハに対して、反応ガスを噴射し、該反応ガスに高周波電圧を加圧してプラズマ化して、該ウエハの表裏の両面または表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記反応炉外で被処理のウエハを収容して搬送し、前記均熱板に載置して該収容されたウエハをCVD処理して前記薄膜の形成を行うことを特徴とする、CVD処理用ウエハ収容トレー。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  B65D 85/86 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/68

FI (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/68 U ,  B65D 85/38 R