半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001118413
Publication number (International publication number)：2002313757
Application date： Apr. 17, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。【解決手段】たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。

Claim 1：

(a)半導体ウェハの表面に単層または積層の第1絶縁膜を成膜する工程、(b)前記半導体ウェハのエッジにおける前記第1絶縁膜を除去する工程、(c)前記(b)工程後に、前記第1絶縁膜をパターニングする工程、(d)前記(c)工程後に、前記第1絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、(e)前記(d)工程後に、前記第1絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第2絶縁膜を成膜する工程、(f)前記第2絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 , H01L 21/304 622 , H01L 21/3205 , H01L 21/76

FI (7)：

H01L 21/304 621 B , H01L 21/304 621 E , H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 622 Y , H01L 21/88 K , H01L 21/76 L , H01L 21/76 Z

F-Term (53)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032BA00 , 5F032CA17 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP21 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ91 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-199542 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-185810 Applicant：株式会社日立製作所
銅配線の形成方法および銅配線の形成された半導体ウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-248635 Applicant：日本電気株式会社

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