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J-GLOBAL ID:200903004109061094

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001118413
Publication number (International publication number):2002313757
Application date: Apr. 17, 2001
Publication date: Oct. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。【解決手段】 たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。
Claim 1:
(a)半導体ウェハの表面に単層または積層の第1絶縁膜を成膜する工程、(b)前記半導体ウェハのエッジにおける前記第1絶縁膜を除去する工程、(c)前記(b)工程後に、前記第1絶縁膜をパターニングする工程、(d)前記(c)工程後に、前記第1絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、(e)前記(d)工程後に、前記第1絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第2絶縁膜を成膜する工程、(f)前記第2絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/76
FI (7):
H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 Y ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 Z
F-Term (53):
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032BA00 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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