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J-GLOBAL ID:200903004109061094
半導体集積回路装置の製造方法
Inventor:
,
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,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001118413
Publication number (International publication number):2002313757
Application date: Apr. 17, 2001
Publication date: Oct. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。【解決手段】 たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。
Claim 1:
(a)半導体ウェハの表面に単層または積層の第1絶縁膜を成膜する工程、(b)前記半導体ウェハのエッジにおける前記第1絶縁膜を除去する工程、(c)前記(b)工程後に、前記第1絶縁膜をパターニングする工程、(d)前記(c)工程後に、前記第1絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、(e)前記(d)工程後に、前記第1絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第2絶縁膜を成膜する工程、(f)前記第2絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/304 621
, H01L 21/304
, H01L 21/304 622
, H01L 21/3205
, H01L 21/76
FI (7):
H01L 21/304 621 B
, H01L 21/304 621 E
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/304 622 Y
, H01L 21/88 K
, H01L 21/76 L
, H01L 21/76 Z
F-Term (53):
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA77
, 5F032BA00
, 5F032CA17
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA33
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ11
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK11
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP16
, 5F033PP21
, 5F033PP27
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ14
, 5F033QQ19
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033QQ75
, 5F033QQ91
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033TT02
, 5F033XX00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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