Pat

J-GLOBAL ID：200903004110838655

半導体ウィスカー探針及びその製造方法

Inventor： 佐藤 俊彦 ,  比留間 健之 ,  白井 正敬 ,  原口 恵一 ,  勝山 俊夫 ,  嶋田 寿一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994135370
Publication number (International publication number)：1996008442
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体の、金属とは異なる電子状態の特徴、及び、半導体加工技術の高い寸法精度、を利用した半導体ウィスカーによる極微細探針を製作し、走査プローブ顕微鏡技術を微細加工、大容量記憶装置へ適用する。【構成】基板上に所定の位置に少なくとも1つの針状部を形成する。【効果】半導体製の探針を用いることによって、磁区の分布など、従来にない試料の物性の評価、観測が行えるようになった。また、半導体製のウィスカーを用いることによって、複数探針が得られ、従来の10倍の速度で走査プローブ顕微鏡像の取得が可能となった。また、試料表面の局所的な作用が伝搬して行く様子を、ナノメータスケールの位置分解能で観測可能となった。さらに、プローブ顕微鏡を用いたナノメータサイズの微細加工を、従来の10倍の速度で行うことができた。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたスペーサ層と、上記スペーサ層上の所定の位置に形成された少なくとも1つの針状部とを有することを特徴とする半導体ウィスカー探針。

IPC (6)：

H01L 29/80 ,  G01N 37/00 ,  G11B 9/04 ,  H01J 37/28 ,  G01B 21/30 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 29/80 A ,  H01L 21/30 541 Z