Pat
J-GLOBAL ID：200903004112551221
ダイヤモンドの選択形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福村 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993045511
Publication number (International publication number)：1994263593
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、高性能な半導体デバイスや光導波路等の電子機器をはじめとする広い分野に好適であるところの、選択性良く形成された微細なパターンのダイヤモンドを容易にかつ簡便に、しかも所望の形状に再現性よく製造することができる、ダイヤモンドの選択形成法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基材の表面に、ダイヤモンドの気相合成条件下で炭素に対して不活性な金属またはその合金によるパターンを形成し、その後に、前記基材表面を酸洗浄してから、基材の表面に気相合成法によりダイヤモン膜パターンを形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基材の表面に、ダイヤモンドの気相合成条件下で炭素に対して不活性な金属またはその合金によるパターンを形成し、その後に、前記基材表面を酸洗浄してから、基材の表面に気相合成法によりダイヤモン膜パターンを形成することを特徴とするダイヤモンドの選択形成方法。
IPC (4)：
C30B 29/04
, C23C 16/04
, H01L 21/205
, H01L 21/314
