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J-GLOBAL ID：200903004120647726

半導体レーザ素子

Inventor： 河西 秀典 ,  林 寛 ,  森本 泰司 ,  兼岩 進治 ,  山口 雅広
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995215902
Publication number (International publication number)：1996056051
Application date： Dec. 29, 1987
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 射端面の光吸収による温度上昇を防ぐことができ、高出力状態においても高い信頼性を有する半導体レーザ素子が得られる。【解決手段】 端面部のチャネル幅を広げる。

Claim (excerpt)：

基板上方に積層された、均一な厚さを有する平板状の活性層と、ストライプ状の貫通溝を有する光吸収層と、を有し、該光吸収層による光吸収により該活性層に実効屈折率差に基づくストライプ状の光導波路が形成されるように該貫通溝の溝幅が設定され、かつ、該溝幅が共振器の少なくとも一方の端面近傍部分で拡大されていることを特徴とする半導体レーザ素子。