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J-GLOBAL ID：200903004123682662

シリコンのエッチング方法

Inventor： 戸田 和男
Applicant, Patent owner： 戸田 和男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002077296
Publication number (International publication number)：2003243377
Application date： Feb. 12, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】シリコンの異方性エッチングにおいて高速にエッチングしようとするとエッチング側壁の段差(荒れ)が生じる。またこの荒れを押さえる方法ではマイナス100°Cに冷却する必要があるなど煩雑である。エッチングの荒れや煩雑さを伴わずにシリコンを高速に異方性エッチングする方法を提供する。【解決手段】添加ガスとして二酸化イオウを使用することによりエッチング側壁の段差(荒れ)を生じることなくまたマイナス100°Cの極低温を用いることもなくシリコンを高速に異方性エッチングする。

Claim 1：

二酸化イオウをエッチング添加ガスとして用いることを特徴とするシリコンエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  B81C 1/00

FI (2)：

B81C 1/00 ,  H01L 21/302 105 A

F-Term (6)：

5F004AA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EB04 ,  5F004EB05