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J-GLOBAL ID：200903004129081350

半導体素子用マーキング装置

Inventor： 遠山 繁喜
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991206773
Publication number (International publication number)：1993047945
Application date： Aug. 19, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、リードカット工程での半導体素子3の静電気破壊を防止することを目的とするものである。【構成】 半導体素子3に帯電した静電気を除去する静電気除去器21を、半導体素子3の搬送経路のマークヘッド部5よりも下流に設け、さらにその下流に、半導体素子3の帯電量を検出する静電気検出器22を設けた。

Claim 1：

搬送された半導体素子にマークヘッド部によりマーキングを行う半導体素子用マーキング装置において、前記半導体素子の搬送経路の前記マークヘッド部よりも下流に設けられ、前記半導体素子に帯電した静電気を除去する静電気除去器を備えていることを特徴とする半導体素子用マーキング装置。