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J-GLOBAL ID：200903004133765868

イメージセンサ

Inventor： ジャロスラブ ハイネセック
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992184092
Publication number (International publication number)：1995176721
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電荷増倍能力を持つCCDイメージセンサを得る。【構成】 直流バイアスされた転送障壁が電極56の下に形成され、一時的な蓄積井戸が電極54の下に形成される。高電界領域が電極56と電極58との界面に形成される。電極54のバイアスが低下すると(すなわち電位が上昇すると)、蓄積されている電荷は電極56の下の転送障壁を越えて、電極56と電極58との間の高電界領域中へ注入される。電荷がCCDチャネル中を移動する間に、チャネル中の電界が十分強ければ、衝突電離によって電子-正孔対が生成される。電子のみが電極58の下の井戸中に集められて電荷の増倍が行われる。

Claim (excerpt)：

CCDセル中で電荷を増倍するための方法であって、前記CCDセル中で電荷キャリアの衝突電離を引き起こす工程を含む方法。

IPC (2)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-044465
  
• 特開昭62-072165