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J-GLOBAL ID：200903004134484986

フラッシュメモリ装置の感知増幅回路

Inventor：
李 炳 勳

About 李 炳 勳

, 
林 瀛 湖

About 林 瀛 湖


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002015522
Publication number (International publication number)：2002237194
Application date： Jan. 24, 2002
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 データライン(又はビットライン)を要求される電圧にプリチャージするのにかかる時間を短縮できるフラッシュメモリ装置の感知増幅回路を提供する。【解決手段】 フラッシュメモリ装置の感知増幅回路は、データライン(又はデータラインに電気的に連結されたビットライン)をプリチャージする第1及び第2プリチャージ部200,300を含む。第1及び第2プリチャージ部200,300はデータラインに各々連結される。第1プリチャージ部200はデータラインの電圧変化に従って可変される電流をデータラインに供給し、第2プリチャージ部300はデータラインの電圧変化に関係なく、一定の電流をデータラインに供給する。
Claim (excerpt)：
複数の電気的に消去及びプログラム可能なメモリセルと、選択されたメモリセルに対応するビットラインをデータラインに電気的に連結するデコーディング手段とを含むフラッシュメモリ装置で、前記ビットラインの電圧変化を感知して前記選択されたメモリセルのオン/オフ状態を判別する感知増幅回路は、プリチャージ区間の間、一定のバイアス電圧を発生するバイアス部と、前記データラインに連結され、前記データラインの電圧変化に関係なく、前記バイアス電圧によって決定された一定の電流を前記データラインに供給する第2プリチャージ部と、前記データラインに連結され、感知区間の間、前記ビットラインの電圧変化を感知して前記選択されたメモリセルのオン/オフ状態に対応するデータ信号を出力する感知部とを含むことを特徴とするフラッシュメモリ装置の感知増幅回路。
FI (2)：
G11C 17/00 634 B ,  G11C 17/00 634 C
F-Term (3)：
5B025AD05 ,  5B025AD11 ,  5B025AE05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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