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J-GLOBAL ID：200903004143967434

熱処理方法

Inventor： 角田 武
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997286070
Publication number (International publication number)：1999111709
Application date： Oct. 02, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 界面準位密度を減少させてデバイス特性を向上させることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 熱処理容器18,60内において被処理体2に対して所定の熱処理を施すに際して、前記被処理体を、700°C以下の温度領域においては水分の濃度(体積ベース)が1000PPM以上の雰囲気中で降温させる。これにより、界面準位密度を減少させてデバイス特性を向上させる。

Claim (excerpt)：

熱処理容器内において被処理体に対して所定の熱処理を施すに際して、前記被処理体を、700°C以下の温度領域においては水分の濃度(体積ベース)が1000PPM以上の雰囲気中で降温させるようにしたことを特徴とする熱処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/324 J ,  H01L 21/324 W