Pat

J-GLOBAL ID：200903004149700286

亜鉛-インジウム酸化物を含む透明導電体及び薄膜の作製方法

Inventor： スー アン カーター ,  ロバート ジョセフ カヴァ ,  ジュイナイ レイニエン クウォ ,  ジュリア マエ フィリップス ,  ゴードン アルバート トーマス
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995287751
Publication number (International publication number)：1996227614
Application date： Nov. 07, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 本発明は亜鉛-インジウム酸化物を含む透明導電体及び薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 出願人はInが金属元素の40〜75%である異原子価材料をドープした亜鉛-インジウム酸化物では、可視及び赤外の両方で透明性を増したまま、現在用いられている広禁制帯半導体と同程度の導電率が得られることを、発見した。材料は少量のたとえば四価原子のような異原子価ドーパントにより、1mΩ-cm以下の抵抗率にドープできる。それはガラス基板上に、アモルファス及び多結晶薄膜として堆積できる。

Claim (excerpt)：

インジウムが金属元素の40〜75原子%である亜鉛-インジウム酸化物を含む透明導電性材料。

IPC (4)：

H01B 5/14 ,  C01G 15/00 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/28

FI (4)：

H01B 5/14 A ,  C01G 15/00 B ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 21/28 Z