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J-GLOBAL ID：200903004150428719
化学気相成長装置及びその駆動方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001013309
Publication number (International publication number)：2002217120
Application date： Jan. 22, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置を量産できるように、高真空状態にすることなく成膜できる化学気相成長方法を提供する。【解決手段】 複数のチャンバーと、該複数のチャンバーのうち一のチャンバー内の基板を他のチャンバーへ搬送する搬送手段と、複数の前記チャンバーの各々にガスを導入する導入手段と、複数の前記チャンバー内を排気する排気手段とを備えた化学気相成長装置において、複数の前記チャンバー内の各々に前記導入手段によってガスを導入させると共に前記排気手段によって複数の前記チャンバー内を排気するように制御する制御手段を備え、前記制御手段は、前記搬送手段によって前記基板を前記一のチャンバーから前記他のチャンバーへ搬送するときに、前記一及び他のチャンバーを高真空に排気しなくてもよいように、前記導入手段及び前記排気手段を制御することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
複数のチャンバーと、該複数のチャンバーのうち一のチャンバー内の基板を他のチャンバーへ搬送する搬送手段と、複数の前記チャンバーの各々にガスを導入する導入手段と、複数の前記チャンバー内を排気する排気手段とを備えた化学気相成長装置において、複数の前記チャンバー内の各々に前記導入手段によってガスを導入させると共に前記排気手段によって複数の前記チャンバー内を排気するように制御する制御手段を備え、前記制御手段は、前記搬送手段によって前記基板を前記一のチャンバーから前記他のチャンバーへ搬送するときに、前記一及び他のチャンバーを高真空に排気しなくてもよいように、前記導入手段及び前記排気手段を制御することを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (17)：
4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030JA09
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045AB02
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045BB08
, 5F045BB15
, 5F045DQ15
, 5F045EG05
, 5F045EN05
, 5F045HA24
