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J-GLOBAL ID：200903004151100857

メモリアクセス方法

Inventor：
西村 昌樹

About 西村 昌樹


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 木内 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006211667
Publication number (International publication number)：2008041142
Application date： Aug. 03, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：
【課題】高価な高速メモリを使用することなくランダムアクセス性能を向上させることができるメモリアクセス方法を提供する。【解決手段】シンクロナスDRAMのメモリアクセス方法において、同一のデータをシンクロナスDRAMの複数のバンクにそれぞれ書き込み、複数のバンクに対して所定の順序で順次アクティブコマンドを発行し、次に複数のバンクに対して所定の順序で順次リードコマンドを発行する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
シンクロナスDRAMのメモリアクセス方法において、 同一のデータを前記シンクロナスDRAMの複数のバンクにそれぞれ書き込み、前記複数のバンクに対して所定の順序で順次アクティブコマンドを発行し、次に前記複数のバンクに対して所定の順序で順次リードコマンドを発行することを特徴とするメモリアクセス方法。
IPC (2)：
G11C 11/401 ,  G11C 11/407
FI (3)：
G11C11/34 362H ,  G11C11/34 371H ,  G11C11/34 362S
F-Term (10)：
5M024AA41 ,  5M024AA49 ,  5M024BB35 ,  5M024DD95 ,  5M024JJ02 ,  5M024JJ20 ,  5M024KK24 ,  5M024KK25 ,  5M024PP01 ,  5M024PP07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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