増幅型固体撮像素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：古谷史旺 , 森俊秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004195499
Publication number (International publication number)：2006019487
Application date： Jul. 01, 2004
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

【課題】増幅型固体撮像素子において、製造工程でのばらつきが信号電荷の転送特性、及びオーバーフロー特性に大きく影響しないオーバーフロードレイン構造を開示する。【解決手段】本発明では、第1導電型の電荷蓄積領域よりも半導体基板の裏面側に、第2導電型の半導体領域の一部を介して電荷蓄積領域の少なくとも一部に対向する第1導電型の過剰電荷排出領域が形成されている。過剰電荷排出領域は電圧供給部から所定の電圧を受けるので、オーバーフロー成分は過剰電荷排出領域を介して排出される。この構造では、過剰電荷排出領域は、半導体基板の内部に位置するので、電荷蓄積領域や、信号電荷の転送時に反転層が形成される領域から離れている。従って、製造工程において各不純物拡散領域の形成位置がばらついても、信号電荷の転送特性やオーバーフロー特性にはあまり影響しない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

入射光に応じた量の電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷が転送される電荷検出領域を含むと共に、前記電荷検出領域内の電荷量に応じた画素信号を出力する増幅部と、前記電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接して形成されている第2導電型の半導体領域とを有する画素が前記半導体基板に複数形成された増幅型固体撮像素子であって、前記半導体領域内には、前記電荷蓄積領域よりも前記半導体基板の裏面側に、前記半導体領域の一部を介して前記電荷蓄積領域の少なくとも一部に対向する第1導電型の過剰電荷排出領域が形成されており、前記半導体基板において複数の前記画素が形成されている領域には、前記過剰電荷排出領域に対向しない領域が存在し、前記過剰電荷排出領域に所定の電圧を供給する電圧供給部を有することを特徴とする増幅型固体撮像素子。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 U

F-Term (24)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118CA32 , 4M118FA06 , 4M118FA13 , 4M118FA24 , 4M118FA26 , 4M118FA33 , 4M118FA42 , 5C024CX12 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GX16 , 5C024GY31 , 5C024GY41 , 5C024GZ02 , 5C024HX01 , 5C024HX17 , 5C024HX40 , 5C024HX41

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-241365 Applicant：株式会社ニコン

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