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J-GLOBAL ID：200903004153760757

pHセンサおよびそれを用いたワンチップpHセンサ

Inventor： 冨田 勝彦 ,  中西 剛 ,  高松 修司 ,  野村 聡 ,  田邉 裕貴
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996289370
Publication number (International publication number)：1997203721
Application date： Oct. 11, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 簡単に製造することができるとともに、電気絶縁性が良好かつ安定で高性能なpHセンサおよびそれを用いたワンチップpHセンサを提供すること。【解決手段】 ISFET11を形成する基板として、シリコン単結晶基板1上に酸化アルミニウム薄膜2をエピタキシャル成長させ、この酸化アルミニウム薄膜2上にシリコン薄膜3をエピタキシャル成長させたシリコン/酸化アルミニウム/シリコンからなる構造のエピタキシャル成長基板4を用いた。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に酸化アルミニウム薄膜をエピタキシャル成長させ、この酸化アルミニウム薄膜上にシリコン薄膜をエピタキシャル成長させたシリコン/酸化アルミニウム/シリコンからなる構造のエピタキシャル成長基板上にISFETを形成したことを特徴とするpHセンサ。

FI (3)：

G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 X ,  G01N 27/30 301 U