半導体受光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266930
Publication number (International publication number)：2003046111
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】暗電流を低減し、高い検出感度を有する半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子20を構成する下地層12はAlを含み、転位密度が1011/cm2以下の窒化物半導体から構成する。また、n型導電層13及びp型導電層15を前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含み、転位密度が1010/cm2以下の窒化物半導体から構成する。さらに、受光層14を同じく前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含み、転位密度が1010/cm2以下の窒化物半導体から構成する。

Claim (excerpt)：

所定の基板上において、窒化物半導体からなる下地層と、窒化物半導体層群を含む受光素子構造とを具える半導体受光素子であって、前記下地層を構成する前記窒化物半導体は、少なくともAlを含むとともに、転位密度が1011/cm2以下であり、前記受光素子構造を構成する前記窒化物半導体層群は、前記下地層を構成する前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含むとともに、転位密度が1010/cm2以下であることを特徴とする、半導体受光素子。

F-Term (9)：

5F049MA03 , 5F049MA05 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049PA04 , 5F049QA02 , 5F049QA18 , 5F049SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

特開昭61-007621
受光素子、火炎センサ及び受光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-319531 Applicant：大阪瓦斯株式会社
特開平3-203388

Show all

Return to Previous Page