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J-GLOBAL ID：200903004187804648

水素負イオンビーム注入方法及び注入装置

Inventor： 三宅 浩二
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998183824
Publication number (International publication number)：2000021597
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Si、SiCなどの半導体、絶縁体、金属基板に一定深さに水素イオンを注入する場合、質量分離マグネットなどが不要で走査機構も不要な水素イオン注入方法を提供すること。【解決手段】 Si、SiC、金属などの対象物基板を水素プラズマ室の内部に入れ、水素プラズマと接触させ、対象物基板に正のバイアス電圧をパルス的に印加して、プラズマ中の水素負イオンH-を基板に注入する。

Claim (excerpt)：

半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板に水素イオンを所定の深さに注入する方法であって、プラズマ室にプラズマ生成手段によって水素を含むプラズマを発生し、基板直径より広い範囲の孔分布を有する複数枚の多孔電極板からなる引出電極系によってプラズマから水素負イオンビームを引き出し、半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板に水素負イオンを所定の深さまで注入する事を特徴とする水素負イオンビーム注入方法。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/48 ,  G21K 5/04 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H05H 1/46 A ,  C23C 14/48 Z ,  G21K 5/04 A ,  H01L 21/265 F

F-Term (6)：

4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA32 ,  4K029CA10 ,  4K029DE02