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J-GLOBAL ID：200903004200578296

回路内蔵受光素子

Inventor： 山本 元彦 ,  久保 勝 ,  福永 直樹
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050940
Publication number (International publication number)：1996250690
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 フォトダイオードの表面に形成されたエピタキシャル層の下方に埋込まれた拡散層によるポテンシャルバリアによる光感度の低下を防止し、光感度を向上させる。【構成】 P型シリコン基板1の表面にN型エピタキシャル層5を形成し、両者の間に前記エピタキシャル層より高濃度のN型拡散層2-1,2-2,2-3,...を形成する。その幅dは次の式のようにする。【数1】

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板の上に形成されたフォトダイオードと信号処理回路を有する回路内蔵受光素子において、フォトダイオード領域の第1の導電型の半導体基板とその表面に形成された第2の導電型のエピタキシャル層との間に、複数の領域に分割して埋込まれた第2の導電型の半導体層を備え、その幅dは、【数1】の範囲としたことを特徴とする回路内蔵受光素子。