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J-GLOBAL ID：200903004201662770
基材処理方法およびその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995329601
Publication number (International publication number)：1997143699
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 基材に対する薄膜の密着性や表面改質作用を低下させることなく、基材の尖った部分でのエッチング現象を抑制する。【解決手段】 アーク式蒸発源14の陰極16の前面近傍のプラズマ生成部17と基材8との間に、プラズマ生成部17で生成したプラズマ18中のイオンが基材8へ向かう経路を遮るように、メッシュ状の中間電極24を配置した。更に、この中間電極24の電位をプラズマ生成部17の電位と基材8の電位との中間電位に保つ中間電極電源26を設けた。
Claim (excerpt)：
真空容器内のプラズマ生成部でプラズマを生成し、基材に印加した負のバイアス電圧によってこのプラズマ中のイオンを基材に向けて加速して基材に薄膜形成等の処理を施す基材処理方法において、前記プラズマ生成部と基材との間に、プラズマ生成部で生成したプラズマ中のイオンが基材へ向かう経路を遮るようにメッシュ状の中間電極を配置し、この中間電極の電位をプラズマ生成部の電位と基材の電位との中間電位に保って基材を処理することを特徴とする基材処理方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/32 C
, H01J 37/317 Z
