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J-GLOBAL ID：200903004202214623
パワー半導体モジュール
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326563
Publication number (International publication number)：1998173109
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高熱伝導性を確保することができるとともに、絶縁基板との熱膨張差の少ない信頼性の高い放熱板を備えた新しいパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 本発明は複数の半導体チップおよび複数の電極を搭載した絶縁基板が放熱板上に搭載されており、これら放熱板上の構造物全体が封止された構造のIGBT等のパワー半導体モジュールにおいて、前記放熱板は、銅または銅合金の高熱伝導層と、Fe-Ni系合金の低熱膨張層が交互に積層され、10層以上、好ましくは50層以上の多層構造をなし、前記低熱膨張層をはさみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形成した複数の貫通孔を介して連続するものである。
Claim (excerpt)：
複数の半導体チップおよび複数の電極を搭載した絶縁基板が放熱板上に搭載され、これら放熱板上の構造物が封止された構造の半導体モジュールにおいて、前記放熱板は、銅または銅合金の高熱伝導層と、Fe-Ni系合金の低熱膨張層が交互に積層され10層以上の多層構造をなし、前記低熱膨張層をはさみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形成した複数の貫通孔を介して連続することを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/36 M
, H01L 23/36 A
