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J-GLOBAL ID：200903004207313522

薄膜トランジスタ装置とその製造方法

Inventor： アナンス ドダバラプア ,  ハワード エダン カッツ ,  ルイザ トーシ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995345454
Publication number (International publication number)：1996228035
Application date： Dec. 11, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】ソース/ドレイン電流の改善されたオン/オフ比特性を有する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、改善した特性(例えば20 ゚Cでオン/オフ比105以上)を有し、そのトランジスタは、低い導電率(20 ゚Cで5×10-8S/cm以下で、好ましくは10-8又は10-9S/cm以下)の有機活性層16からなり、このような物質を作る方法が開示される。急激な熱アニールは有益な結果を有する。望ましい物質はα-ヘキサチエニレンである(α-6T)。改善されたトランジスタは、例えば活性液晶表示器及びメモリに用いることができる。

Claim (excerpt)：

(A)有機物質層(16)と、(B)前記有機物質層に接し、離間した形成された第1及び第2接点(12、13)と、(C)前記第1及び第2接点の手段に離間して形成された第3接点(14)とからなりこの第3接点に印加された電圧並びに前記有機物質層を通して、第1及び第2接点の間の電流を制御し、(D)前記有機物質が、末端の環上の4又は5の位置の炭素上の置換基の有無に関わらない、nが4から9までの整数である、α-nT又はこれらの誘導体からなる群から選択され、(E)20 ゚Cにおいて高々5×10-8S/cmの導電率を有することを特徴とする薄膜トランジスタ(20)からなる装置。

IPC (2)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B