Pat
J-GLOBAL ID：200903004210225359

相互誘導回路

Inventor：
中谷 俊文

About 中谷 俊文

, 
足立 寿史

About 足立 寿史


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 小笠原 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004139145
Publication number (International publication number)：2005005685
Application date： May. 07, 2004
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：
【課題】 専有面積の小さいトランス素子を提供すること。【解決手段】 トランス素子1は、半導体基板上において上下方向に平行な第1及び第2の配線層を使って形成され、第1のインダクタンス2及び第2のインダクタンス3を備える。第1及び第2のインダクタンス2及び3は、鉛直上方向及び鉛直下方向の一方から第1の配線層及び第2の配線層の一方に投影した時に、投影された外形線が予め定められた基準面を基準として対称な形状を有し、かつ投影された外形線が第1の配線層及び第2の配線層の一方上で交差し合う部分については、第1の配線層及び第2の配線層を使って交差しないよう構成される。【選択図】 図1
Claim 1：
上下方向に平行な第1及び第2の配線層を使って形成される相互誘導回路であって、 第1のインダクタンスと、 前記第1のインダクタンスで発生した磁束が鎖交する位置に形成される第2のインダクタンスとを備え、 前記第1及び前記第2のインダクタンスは、鉛直上方向及び鉛直下方向の一方から前記第1の配線層及び前記第2の配線層の一方に投影した時に、投影された外形線が予め定められた第1の基準面を基準として対称な形状を有し、かつ前記投影された外形線が前記第1の配線層及び前記第2の配線層の一方上で交差し合う部分については、前記第1の配線層及び前記第2の配線層を使って交差しないように構成される、相互誘導回路。
IPC (5)：
H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01F19/04 ,  H01L27/04 ,  H03F3/60
FI (4)：
H01L27/04 L ,  H01F17/00 D ,  H03F3/60 ,  H01F19/04 Z
F-Term (26)：
5E070AB01 ,  5E070AB04 ,  5E070BA01 ,  5E070CB13 ,  5F038AZ01 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038CA05 ,  5F038CA06 ,  5F038CA16 ,  5F038CD05 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5J067AA04 ,  5J067AA35 ,  5J067CA53 ,  5J067CA62 ,  5J067CA92 ,  5J067FA00 ,  5J067HA02 ,  5J067HA25 ,  5J067HA35 ,  5J067KA00 ,  5J067SA13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
Show all
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-007406
  • 特開平2-007406
  • 電圧制御発振回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-051612   Applicant：松下電器産業株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM