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J-GLOBAL ID：200903004211611589

シリコンの精製方法および精製装置

Inventor： ガルニエ マルセル ,  トラッシー クリスティアン
Applicant, Patent owner： サントル ナスィオナル デ ラ ルシェルシェ スィアンティフィーク
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000525344
Publication number (International publication number)：2001526171
Application date： Dec. 17, 1998
Publication date： Dec. 18, 2001
Summary：

【要約】シリコン精製方法は下記の工程から構成される。低温のるつぼを固体シリコンで満たすこと、るつぼの内容物を融解すること、溶融シリコンの乱流攪拌を、誘導るつぼにより、るつぼの中心軸に沿って上昇させることによって液体をるつぼの底部から自由表面にまで動かすことによって行うこと、および誘導プラズマトーチによって生成されるプラズマを、プラズマの反応性ガスが適合している不純物の除去を可能にする期間にわたって溶融物の表面に向けること。

Claim (excerpt)：

低温の誘導るつぼ(1)を固体シリコンで満たすこと、 前記るつぼの内容物を融解すること、 溶融シリコン(b)の乱流攪拌を、前記誘導るつぼにより、前記るつぼの中心軸に沿って上昇させることにより液体を前記るつぼの底部から自由表面まで動かすことによって行うこと、および 誘導プラズマトーチ(2)によって生成されるプラズマ(f)を、前記プラズマの反応性ガス(gr)が適合している不純物の除去を可能にする期間にわたって溶融物の表面に向けること、から構成されることを特徴とするシリコンの精製方法。

IPC (2)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04

FI (2)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04 H

F-Term (17)：

4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ03 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ14 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072RR25 ,  4G072UU02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB04 ,  5F051CB18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-228414
  
• 金属シリコンの精製方法および精製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-310719   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開昭63-218506