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J-GLOBAL ID：200903004213889363

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 橋本 浩一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992245339
Publication number (International publication number)：1994097165
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 最下層の配線が高融点金属膜により形成される半導体装置及びその製造方法に関し、製造工程における各種パターンのパターニング精度の低下を伴わずにその耐湿性を向上させることを目的とする。【構成】 第1層配線層が高融点金属膜からなり、該第1層配線層の下層に設けられた半導体基板1に直に接する下地絶縁膜4の該半導体基板1面が表出するダイシングライン2側の端面4Fが、ダイシングライン2上から該下地絶縁膜4上に達する該高融点金属膜9Sで直に覆われており、且つ該ダイシングライン2上で、該ダイシングライン2に囲まれた素子領域3を覆って最上層に形成されるパッシベーション膜8と該高融点金属膜9Sとが直に接し、且つ該半導体基板1とほぼ直交する同一面上において終端しているように構成した半導体装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

第1層配線層が高融点金属膜からなり、該第1層配線層の下層に設けられ、半導体基板に直に接する下地絶縁膜の、該半導体基板面が表出するダイシングライン側の端面が、ダイシングライン上から該下地絶縁膜上に達する該高融点金属膜で直に覆われており、且つ該ダイシングライン上で、該ダイシングラインに囲まれた素子領域を覆って最上層に形成されるパッシベーション膜と該高融点金属膜とが直に接し、且つ該半導体基板とほぼ直交する同一面上において終端していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/78 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/46