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J-GLOBAL ID:200903004228234193

はんだボールバンプの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995250943
Publication number (International publication number):1997092652
Application date: Sep. 28, 1995
Publication date: Apr. 04, 1997
Summary:
【要約】【課題】 BLM膜と密着性の強いはんだボールバンプを形成する。【解決手段】 フォトレジストのリフトオフを用いてんだ層14をパターンニグする際のはんだ成膜工程を含むはんだボールバンプ15の形成方法において、少なくともプラズマ生成と基板バイアス電圧とを独立に制御可能な2つの高周波電源を有するプラズマ処理装置を用いて成膜前処理を行うことを特徴とするはんだボールバンプの形成方法。【効果】 BLM4上に残存するスカム6aを除去でき、はんだボールバンプとの密着性を向上できる。
Claim (excerpt):
フォトレジストのリフトオフを用いて半田層をパターニングする際の半田成膜工程を含む半田ボールバンプの形成方法において、少なくともプラズマ生成と基板バイアス電圧とを独立に制御可能な2つの高周波電源を有するプラズマ処理装置を用いて成膜前処理を行なうことを特徴とする半田ボールバンプの形成方法。
IPC (2):
H01L 21/321 ,  H01L 21/3065
FI (3):
H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/92 604 S
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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