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J-GLOBAL ID：200903004229701267

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 牛膓 哲雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003045
Publication number (International publication number)：1995211695
Application date： Jan. 17, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 平行平板型電極を有するプラズマ処理装置による、高真空領域でのプラズマ処理方法およびその装置構成を提供する。【構成】 平行平板型電極2、3を有する処理室3に臨んでマイクロ波導入窓9、マイクロ波導波管8、マグネトロン7、コイル10等から構成されるマイクロ波ECR放電機構を具備し、プラズマ放電の起動をECRにより行う。放電の継続は、VHF帯域の高周波電源5と平行平板型電極による。【効果】 被処理基板の面内均一性が向上し、ステップカバリッジのよいプラズマCVD、異方性のよいドライエッチングが可能となる。チャンバクリーニングが容易なので、パーティクル汚染が少ない。

Claim (excerpt)：

処理室内の平行平板型電極に高周波を印加してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、該処理室に臨むマイクロ波導入窓を有し、マイクロ波と磁場の相互作用によるマイクロ波ECRプラズマ放電機構を具備してなる、プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C