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J-GLOBAL ID：200903004231843729
半導体集積回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995304198
Publication number (International publication number)：1997148531
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】プッシュプル型の出力回路を持つドライバICにおいて、出力端子DOがGNDに対して負電位になった場合の寄生トランジスタによる消費電流の増大、発熱等を防止する。【解決手段】ハイサイドトランジスタN2とローサイドダイオードD1との間のp+ 分離領域24の幅を広くし、寄生トランジスタT1の電流増幅率を下げる。またハイサイドトランジスタN2とローサイドダイオードD1との間に別の素子を配置してもよい。
Claim (excerpt)：
ハイサイドトランジスタと、ローサイドトランジスタと、それらのトランジスタそれぞれに並列に接続されたダイオードとを有するプッシュプル型出力回路を含む集積回路において、ハイサイドトランジスタとローサイドダイオードとの間の分離領域の幅が、ローサイドダイオードから分離領域に注入された少数キャリアが殆ど消滅する程、その分離領域中の少数キャリアの拡散長に比べ十分広いことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/06 311 B
, H01L 21/76 J
