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J-GLOBAL ID：200903004241223168

半導体発光素子

Inventor： 藤井 宏明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013419
Publication number (International publication number)：1994232453
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 良好なオーミック特性を有する緑青色或いは青色発光素子を提供する。【構成】 CdZnSe、ZnSSe、ZnSeの内少なくとも1つを含む発光層1を有し、ZnSSe、ZnSe、ZnMgSSeの内少なくとも1つを含むP型とN型のクラッド層2,3で発光層1を挟んだダブルヘテロ構造の半導体発光素子である。そして、発光層1から見て基板7と反対側のクラッド層3上に(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)キャップ層4とAlX Ga1-XAs(0≦X≦1)コンタクト層5とをこの順に積層している。

Claim (excerpt)：

CdZnSe、ZnSSe、ZnSeの内少なくとも1つを含む発光層を有し、その両側にZnSSe、ZnSe、ZnMgSSeの内少なくとも1つを含むP型とN型のクラッド層を有するダブルヘテロ構造の半導体発光素子において、前記発光層から見て基板と反対側のクラッド層上に(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)層とAlX Ga1-X As(0≦X≦1)層とをこの順に積層した構造を含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18