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J-GLOBAL ID:200903004245738910

ヘテロ構造レーザ共振器とその共振器を備えたレーザ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993126492
Publication number (International publication number):1994045697
Application date: Apr. 16, 1993
Publication date: Feb. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 非対称半導体ヘテロ構造レーザ共振器と、これを備えたレーザとを開示する。【構成】 このレーザ共振器10は、第1面から第2面まで変化する組成比と該第1面から該第2面まで直線的に減少するギャップエネルギーとを有し電子ホール対の生成と光の閉じ込めと光の導波とを行なう第1ゾーン1と、量子井戸を含む活性放出ゾーン2である第2ゾーン2と、第1面から第2面まで変化する組成比と該第1面から該第2面まで増大するエネルギーギャップとを有し第2の光の閉じ込めと光の導波とを行なう第3ゾーン3であって活性ゾーン2が第3、第1ゾーン3、1のそれぞれの前記第1面と前記第2面とに接する、前記第3ゾーン3と、第3ゾーン3と基板16との間にあるバッファゾーン4である第4ゾーン4とを有し、第1、第3ゾーン1、3は、活性ゾーン2に関し非対称的で、活性ゾーン2と共に非対称GRINSCH形構造を画定する。
Claim (excerpt):
基板上にエピタキシャル成長半導体層を有する半導体ヘテロ構造レーザ共振器であって、その第1面からその第2面まで連続的に変化する組成比およひ該第1面から該第2面まで減少して行くギャップを有する第1ゾーンであって、光の閉じ込めおよび光の導波を保証するための該第1ゾーンと、該第1ゾーンの前記第2面に接し、該第1ゾーンのギャップより小さいギャップを有する少なくとも1つの量子井戸を含む活性発光ゾーンを構成する第2ゾーンと、前記量子井戸のギャップより大きいギャップを有する第3ゾーンであって、光の閉じ込めおよび光の導波を保証し、その第1面からその第2面まで連続的に変化する組成比および該第1面から該第2面まで増大して行くギャップを有し、前記第3ゾーンの該第1面が前記活性ゾーンに接している該第3ゾーンと、該第3ゾーンの前記第2面および前記基板に接するバッファゾーンを構成する第4ゾーンであって、光の導波のための光の障壁として働く該第4ゾーンとを具備し、前記第1および第3ゾーンか前記活性ゾーンに関して非対称的であり且つ該活性ゾーンと非対称なGRINSCH構造を画定し、該第1および第3ゾーンの一方がまた電子励起および電子-ホール対の生成を保証し、従って半導体ヘテロ構造の表面の1つを構成する、半導体ヘテロ構造レーザ共振器。

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