Pat

J-GLOBAL ID：200903004272062561

電力増幅器の実装構造

Inventor： 大沢 修
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333406
Publication number (International publication number)：1993167218
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層基板を用いて電力増幅器を小型化する。【構成】 高耐熱のガラスエポキシで構成された基板1は第1層の導体パターン2、第2層の導体パターン3、第3層の導体パターン4、第4層の導体パターン5及び第1層の導体パターン2と第3層の導体パターン4を接続するスルーホール6を備えている。第4層の導体パターン5は厚さ100μm程度の銅箔で構成されており、電気的なグランド部材、高出力GaAsFET8の取付部材及びその放熱部材として機能する。そして、基板1に形成した座ぐり穴7にベアチップの高出力GaAsFET8を埋め込み、第4層の導体パターン5にダイボンディングにより接着する。また、リード端子12が第1層の導体パターン2上に載るようにバリコン11を座ぐり穴7の上に配置し、はんだ付けする。

Claim (excerpt)：

(a)穴を形成した多層基板と、(b)FETのベアチップと、(c)電力増幅器の回路を構成する部品とを備え、(d)前記穴の中に前記FETのベアチップを実装し、その上部に前記部品を実装することを特徴とする電力増幅器の実装構造。

IPC (2)：

H05K 1/18 ,  H01L 25/00