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J-GLOBAL ID：200903004273646516
半導体素子CMP用金属酸化物スラリーの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000187138
Publication number (International publication number)：2001070825
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Mar. 21, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 粒子の分布が狭くて均一であり、研磨表面にμ-スクラッチを起こす1μm以上の巨大粒子を殆ど含まない高純度の金属酸化物スラリーを収得し得る半導体素子CMP用金属酸化物スラリーの製造方法を提供する。【解決手段】 流体を高圧で加速させてオリフィスで分散させることにおいて、高圧ポンプ2,2′を2台使用して分散チャンバー3内の圧力を一定に維持させることにより、μ-スクラッチ発生の主原因となる巨大粒子(粒径1μm以上)の発生を抑制又は最小化する。金属酸化物はSiO2,CeO2,Al2O3,ZrO2からなる郡から選択される1種以上であり、表面積が20〜300m2/gである。
Claim (excerpt)：
金属酸化物と水をプレミキシングした後、水溶液状の金属酸化物を分散チャンバー内のオリフィスで高圧で加速させて分散させる方法において、高圧ポンプを2台使用して、分散チャンバーにかかる圧力を一定に維持させることを特徴とする半導体素子CMP用金属酸化物スラリーの製造方法。
IPC (6)：
B02C 19/06
, B01F 3/12
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 13/00
, H01L 21/304 622
B02C 19/06 A
, B01F 3/12
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 13/00
, H01L 21/304 622 D
