Pat

J-GLOBAL ID：200903004275493555

パターン形成材料及びパターン形成方法

Inventor： 岸村 眞治 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝 ,  上田 充 ,  藤ヶ谷 剛彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001277597
Publication number (International publication number)：2003084439
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 180nm帯以下の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、スカムを殆ど発生させることなく、良好なパターン形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 パターン形成材料は、[化1]で表わされるユニットを含むベース樹脂と、酸発生剤とを有している。【化1】(但し、R1は、酸により脱離する保護基である。)

Claim (excerpt)：

[化1]で表わされるユニットを含むベース樹脂と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】(但し、R1は、酸により脱離する保護基である。)

IPC (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (15)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-311438   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-375504   Applicant：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-338701   Applicant：セントラル硝子株式会社