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J-GLOBAL ID：200903004302972223

金属製導電体を有する基板の形成方法

Inventor： カリー ジョー ハンソン ,  バリー ミラー ,  バーバラ ジョイス サプゼタ ,  アクシャイ バジュブハイ シャフ ,  ケン マシュー タカハシ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995087738
Publication number (International publication number)：1995283197
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多層の銅領域のエッチングの制御がしやすくなるようなエッチング剤を提供すること。【構成】 フッ化水素酸のような酸と、塩化ポタジウム、および/または、塩化水素酸のような塩化塩を含有する水溶性塩化銅溶液を用いて、銅のエッチングの解像度を増加させ、銅13/チタン12、銅13/パラジウム/チタン12の多層構造物をエッチングするのに再現性よく制御することができる。このように、溶剤を組み合わせて用いることにより、銅13とチタン12のエッチング速度が充分小さくなり、そして、制御できるようになり、その結果、多層の金属化パターンが、この組み合わされた多層金属構造体に対し、ほぼ垂直の側壁を有して、再現性よく形成される。パラジウムのような多層金属の好ましくない残留物は存在しない。このエッチング溶液は、容易にリサイクル可能である。

Claim (excerpt)：

金属製導電体を有する基板の形成方法において、前記導電体は、第2金属製の第2層(12)の上の第1金属製の第1層(13)からなり、前記第1と第2層の両方を、HFと塩化銅酸と塩化水素酸とを含有する溶剤でもってエッチングすることを特徴とする金属製導電体を有する基板の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/18 ,  C23F 1/26 ,  H01L 21/3213 ,  H05K 3/06

FI (2)：

H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 C