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J-GLOBAL ID：200903004304098717

半導体式ガスセンサとその検知対象ガス設定方法

Inventor： 花田 真理子
Applicant, Patent owner： エフアイエス株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289374
Publication number (International publication number)：1995140102
Application date： Nov. 18, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】検知対象のガス種に対する感度を大きくでき、しかもガス選択性の異なるものを製造することが容易な半導体式ガスセンサを提供するにある。【構成】センサチップ5は平板状の絶縁基板1にヒータ2と、2本で対を為す膜状電極3とを設けるとともに、膜状電極3の上にSnO2 、ZnO、In2 O3 等の金属酸化物半導体からなる感ガス部4を形成して構成される。感ガス部3はその膜厚寸法を、膜状電極3,3の間隔寸法との相対比率を変えることにより、最大感度を示すガス種を調整してある。

Claim (excerpt)：

ヒータと、一対若しくは複数対の電極と、これらの電極上に形成した金属酸化物半導体からなる感ガス部とを平板状の絶縁基板に備えた半導体式ガスセンサにおいて、対の電極の間隔寸法と感ガス部の膜厚寸法の相対比率を検知対象ガスに対応させて設定して成ることを特徴とする半導体式ガスセンサ。