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J-GLOBAL ID:200903004311628314

光導波路の作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中本 宏 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994236059
Publication number (International publication number):1996075942
Application date: Sep. 06, 1994
Publication date: Mar. 22, 1996
Summary:
【要約】【目的】 ポリシロキサンをコアに用いたプラスチック光導波路を作製する際に、サイドエッチングを抑制して、コアの寸法制御性の高い作製方法を提供する。【構成】 ケイ素に結合したアルキル基(非置換、重水素化若しくはハロゲン化した基)、又はフェニル基(非置換、重水素化若しくはハロゲン化した基)を有するポリシロキサン(架橋したものでもよい)を主体とするものをコアとし、より屈折率の低いポリマーをクラッドとした光導波路を作製する方法における、該コアをドライエッチングにより作製する工程において、該エッチングマスクとして銅を用いる光導波路の作製方法。
Claim (excerpt):
下記一般式(化1)又は(化2):【化1】【化2】〔式中、R1 、R2 は同一又は異なり、Cn Y2n-1(Yは水素、重水素若しくはハロゲン、nは5以下の正の整数を表す)で表されるアルキル基、重水素化アルキル基又はハロゲン化アルキル基、あるいはC6 Y5 (Yは水素、重水素若しくはハロゲンを表す)で表されるフェニル基、重水素化フェニル基又はハロゲン化フェニル基〕で表される繰返し単位を有するポリシロキサン、一般式(化1)及び(化2)で表される繰返し単位の共重合体であるポリシロキサン、及びこれらの混合物よりなる群から選ばれたポリマーをコアとし、このコア材料より屈折率の低いポリマーをクラッドとした光導波路を作製する方法における、該コアをドライエッチングにより作製する工程において、ドライエッチングマスクとして銅を用いることを特徴とする光導波路の作製方法。
IPC (3):
G02B 6/13 ,  C08L 83/06 LRM ,  G02B 6/12
FI (2):
G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭61-240207
  • 特開昭55-118635

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