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J-GLOBAL ID：200903004322759712

ニッケル系二次電池及び該二次電池の製造方法

Inventor：
谷 篤

About 谷 篤

, 
川上 総一郎

About 川上 総一郎


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 荻上 豊規
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000181389
Publication number (International publication number)：2001357845
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 活物質利用率が高く、エネルギー密度が高く、且つ耐過充電性に優れ、長寿命な正極を備えたニッケル系二次電池を提供する。【解決手段】 特定の非晶質相を有する水酸化ニッケル粒子を含有する材料101を使用して形成された正極(100)を有する二次電池であって、該水酸化ニッケル粒子は、CuのKαを線源とするX線回折における回折角2θ=19°付近に出現する(001)面の回折ピークの半価幅が1.2°以上であり、且つ2θ=38°付近に出現する(101)面の回折ピークの半価幅が1.5°以上であることを特徴とする。
Claim 1：
少なくとも正極、負極、セパレータ、及びアルカリ電解液からなる電解質を有する二次電池において、前記正極は活物質層と集電体とからなり、該活物質層は、CuKαを線源とするX線回折における回折角2θ=19°付近に出現する(001)面の回折ピークの半価幅が1.2°以上であり、且つ2θ=38°付近に出現する(101)面の回折ピークの半価幅が1.5°以上である非晶質相を有する水酸化ニッケルの粒子を含有する材料で構成されていることを特徴とする二次電池。
IPC (8)：
H01M 4/52 ,  C01G 53/04 ,  H01M 4/32 ,  H01M 4/62 ,  H01M 4/64 ,  H01M 4/74 ,  H01M 4/80 ,  H01M 10/30
FI (9)：
H01M 4/52 ,  C01G 53/04 ,  H01M 4/32 ,  H01M 4/62 C ,  H01M 4/64 A ,  H01M 4/74 A ,  H01M 4/74 C ,  H01M 4/80 C ,  H01M 10/30 A
F-Term (57)：
4G048AA02 ,  4G048AB01 ,  4G048AB02 ,  4G048AC06 ,  4G048AD03 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  5H017AA02 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017CC05 ,  5H017CC25 ,  5H017DD01 ,  5H017EE04 ,  5H017HH01 ,  5H017HH03 ,  5H017HH06 ,  5H028AA01 ,  5H028AA05 ,  5H028AA06 ,  5H028BB10 ,  5H028CC07 ,  5H028CC08 ,  5H028CC10 ,  5H028CC12 ,  5H028CC17 ,  5H028EE01 ,  5H028EE05 ,  5H028EE06 ,  5H028EE10 ,  5H028FF04 ,  5H028HH01 ,  5H028HH03 ,  5H028HH05 ,  5H028HH10 ,  5H050AA03 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA11 ,  5H050CA03 ,  5H050CB17 ,  5H050DA06 ,  5H050DA09 ,  5H050DA10 ,  5H050DA11 ,  5H050EA01 ,  5H050EA23 ,  5H050FA12 ,  5H050FA15 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA18 ,  5H050GA22 ,  5H050HA01 ,  5H050HA05 ,  5H050HA10 ,  5H050HA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
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