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J-GLOBAL ID：200903004330893657

不完全燃焼ガスセンサ

Inventor： 河田 泰之 ,  沼田 純子 ,  市村 剛重 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289691
Publication number (International publication number)：1995140101
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】一酸化炭素ガスおよび水素ガスに選択的なセンサを得る。【構成】基板1の第一の主面には、感ガス層3、触媒層4と、酸化燃焼層5を順次積層し、第二の主面にはヒータ8を形成する。感ガス層3はスパッタで調製されたn型金属酸化物半導体の薄膜であり、触媒層4は白金および金からなる超薄膜であり、酸化燃焼層は白金とロジウムを担持したn型金属酸化物半導体の厚膜である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された感ガス層と、感ガス層上に積層された触媒層と、触媒層上に積層された酸化燃焼層とを備え、前記感ガス層はn型金属酸化物半導体からなる薄膜であり、前記触媒層は2種類の貴金属からなる超薄膜であり、前記酸化燃焼層は貴金属を担持したn型金属酸化物半導体からなる厚膜であることを特徴とする不完全燃焼ガスセンサ。