剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998131351
Publication number (International publication number)：1999307413
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】水素イオン剥離法において副生した剥離ウエーハに、適切な再処理を施して、実際にシリコンウエーハとして再利用することができる方法を提供し、特に剥離ウエーハの再処理における取り代を減少させ、エピタキシャルウエーハのように高価なウエーハを何回も再処理して、何度も再利用することができる方法を提供することによって、実際に高品質のSOI層を有するSOIウエーハの生産性の向上と、コストダウンを図る。【解決手段】水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハに、再処理を加えてシリコンウエーハとして再利用する方法において、前記再処理として少なくとも剥離ウエーハに周辺の段差を除去する研磨と、水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を行うことを特徴とする剥離ウエーハを再利用する方法、およびこの方法で再処理された再利用に供されるシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハに、再処理を加えてシリコンウエーハとして再利用する方法において、前記再処理として少なくとも剥離ウエーハに周辺の段差を除去する研磨と、水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を行うことを特徴とする剥離ウエーハを再利用する方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 Z , H01L 27/12 B , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041709 Applicant：キヤノン株式会社
半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045441 Applicant：キヤノン株式会社

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