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J-GLOBAL ID:200903004335041713
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994214428
Publication number (International publication number):1996078574
Application date: Sep. 08, 1994
Publication date: Mar. 22, 1996
Summary:
【要約】【目的】 実装時の熱応力の問題を解消し、多ピン化にも好適に対応でき、熱放散性にも優れた半導体装置を提供する。【構成】 パッケージ基板10上に半導体チップ12が接合され、前記パッケージ基板10上の前記半導体チップ12の搭載部の周囲に電気的絶縁性を有する弾性体層14が被着形成され、該弾性体層14の外面に、一端部に外部接続端子18が接合され他端部が前記半導体チップ12に接続された配線パターン16aがベースフィルム22上に設けられた配線パターン付きフィルムが接合され、前記半導体チップ12がポッティングにより封止されて成る。
Claim (excerpt):
パッケージ基板上に半導体チップが接合され、前記パッケージ基板上の前記半導体チップの搭載部の周囲に電気的絶縁性を有する弾性体層が被着形成され、該弾性体層の外面に、一端部に外部接続端子が接合され他端部が前記半導体チップに接続された配線パターンがベースフィルム上に設けられた配線パターン付きフィルムが接合され、前記半導体チップがポッティングにより封止されて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 23/12
, C08G 77/00
, H01L 21/60 311
, H01L 23/15
, H01L 23/14
FI (4):
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/14 C
, H01L 23/14 M
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