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J-GLOBAL ID：200903004335483813

半導体装置

Inventor： 東堤 良仁 ,  大鶴 雄三
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  三洋半導体株式会社
Agent (1)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006239680
Publication number (International publication number)：2008066352
Application date： Sep. 05, 2006
Publication date： Mar. 21, 2008
Summary：

【課題】赤外光を光ルミネッセンスにより可視光に変換することにより可視光の画像と赤外光の画像とを撮像可能な固体撮像素子において、それぞれの画質を向上する。【解決手段】光が入射されるp型シリコン基板52の表面にCCDシフトレジスタを構築し、またカラーフィルタ62を積層する。基板の裏面には発光体64を積層する。光学系から入射する可視光80は、発光体64の影響を受けることなく、シリコン基板52に形成されるフォトダイオードに入射し光電変換され、信号電荷82を生じる。一方、赤外光84は、カラーフィルタ62やシリコン基板52を透過して発光体64に到達し、可視光86に変換される。可視光86はシリコン基板52の裏面からフォトダイオードに入射し、信号電荷88を生じる。各信号電荷82,88はそれぞれ基板表面に設けたCCDシフトレジスタを用いて転送され画像信号として読み出される。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体基板に設けられ、当該半導体基板の表面へ向けて入射される入射電磁波のうち第1目的波長帯の成分に対して光電変換を行って信号電荷を生成する光電変換部と、 前記半導体基板の前記表面に形成され、前記信号電荷の読み出しを行う信号電荷制御構造と、 前記半導体基板の背面に配置され、前記入射電磁波のうち前記半導体基板を透過する第2目的波長帯の成分に基づいて前記第1目的波長帯の変換光を発生する発光体と、 を有し、 前記光電変換部は、前記背面から入射する前記変換光が到達可能に構成され、 前記第1目的波長帯及び前記第2目的波長帯の電磁波を検出可能であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/148

FI (3)：

H01L27/14 K ,  H04N5/33 ,  H01L27/14 B

F-Term (28)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CB11 ,  4M118DA03 ,  4M118DB07 ,  4M118DB16 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA19 ,  4M118FA35 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD03 ,  4M118GD12 ,  5C024AX06 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GX08 ,  5C024GX09 ,  5C024GY01