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J-GLOBAL ID：200903004335901372
気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991201819
Publication number (International publication number)：1993047671
Application date： Aug. 12, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 気相成長装置において、成長薄膜の膜厚を均一化する。【構成】 少なくとも原料ガス導入口6と基板支持体2,排気口7を備えた反応管1において、前記反応管1の内壁に凹凸面8を設けたものである。反応管1内に流入した原料ガスにはこの凹凸により乱流が発生し、境界層が薄くなり、基板支持体2上での流速分布が均一になり、成長薄膜の膜厚が均一になる。
Claim (excerpt)：
原料ガス導入口と、反応済の廃ガスを排出する排気口とを有する反応管の内部に気相成長用基板を搭載する基板支持体を設置した気相成長装置であって、基板支持体を設置する反応管の内壁に凹凸面を有し、凹凸面は、反応管内に流入した原料ガスに乱流を生じさせて基板支持体の中央部と周辺部とにおける原料ガスの流速分布を均一化するものであることを特徴とする気相成長装置。
IPC (5)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/02
, C30B 29/40 502
, C30B 25/14
