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J-GLOBAL ID：200903004336341982

半導体装置の製造方法

Inventor： 山森 義之
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999327523
Publication number (International publication number)：2001144122
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 引張り弾性率の低い熱可塑性ポリイミド樹脂を封止樹脂として、加工が容易で、信頼性・耐熱性に優れたCSPを、生産性良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッシベーション膜および半導体素子の金属電極が形成されたウエハー状の半導体素子表面に、封止材層として、一般式(1)で表される構成単位を含有し、引張り弾性率が1000MPa以下の膜厚10〜300μmのシート状の熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムを加熱・圧着するする工程、レーザー光により穴加工を施す工程、メッキにより電極用メタルポストおよび金属バンプを形成させる工程、並びに、該金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程とからなる。【化1】

Claim (excerpt)：

パッシベーション膜および半導体素子の金属電極が形成された、ウエハー状の半導体素子表面に、封止材層として10〜300μmの膜厚で熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成する工程、レーザー光により穴加工を施す工程、メッキにより電極用メタルポストおよび金属バンプを形成させる工程、並びに、該金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程、とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/78 A ,  H01L 23/30 R

F-Term (16)：

4M109AA02 ,  4M109BA05 ,  4M109CA11 ,  4M109CA22 ,  4M109DB15 ,  4M109DB17 ,  4M109EA12 ,  4M109EC04 ,  4M109ED03 ,  5F061AA02 ,  5F061BA05 ,  5F061CA11 ,  5F061CA22 ,  5F061CB04 ,  5F061CB13 ,  5F061DE03