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J-GLOBAL ID：200903004336642931

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 内田 健 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992201709
Publication number (International publication number)：1994049178
Application date： Jul. 29, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 樹脂組成物の硬化物によって封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂の低応力化を目的とする。【構成】 エポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の少なくとも1種からなる熱硬化性樹脂と、この熱硬化性樹脂の硬化剤と、低応力付与剤としての下記一般式で表されるポリシラン共重合体を配合する。【化1】(式中、R1 〜R4 は炭素数1〜24の一価の有機基を示し、かつR1 ,R2 の少なくとも一方は水酸基で置換されている。)【効果】 耐熱衝撃性、耐湿性の優れた樹脂封止型半導体装置が提供される。

Claim (excerpt)：

(a) エポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の少なくとも1種からなる熱硬化性樹脂(b) 前記熱硬化性樹脂の硬化剤(c) 下記化学式(1)及び(2)で表される構成単位を有するポリシラン共重合体を必須成分とする樹脂組成物の硬化物によって半導体素子が封止されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。【化1】(式中、R1 ,R2 は同一でも異なっていてもよく炭素数1〜24の一価の有機基を示し、かつR1 ,R2 の少なくとも一方は水酸基で置換されている。)【化2】(式中、R3 ,R4 は同一でも異なっていてもよく炭素数1〜24の一価の有機基を示す。)

IPC (4)：

C08G 59/40 NKG ,  C08L 63/00 NKB ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31