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J-GLOBAL ID：200903004343026278

半導体発光装置

Inventor： 今井 秀秋
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992135220
Publication number (International publication number)：1993335622
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光の取り出し効率に優れる半導体発光装置を得ること。【構成】 透明基板上に形成される窒化ガリウム系半導体からなる発光層のp型あるいはi型半導体層に均一に電圧を印加するためのパターン形成した電極が該半導体表面層の表面を50%超えない範囲で被覆し、電極側から光を取り出すことができる半導体発光装置。

Claim (excerpt)：

透明基板上に窒化ガリウム系化合物からなるn型半導体層およびp型あるいはi型半導体層を組み合わせてなる発光層を少なくとも一つ有し、該発光層に電圧を印加するために半導体層の所望の部位に電極が形成されている半導体発光素子構造において、p型あるいはi型半導体層を表面層とし、かつ該p型あるいはi型半導体層からなる表面層に電圧を均一に印加するためのパターンを形成された電極が、該半導体表面層の表面を、50%を超えない範囲で覆い、その電極側から光を取り出すことを特徴とする半導体発光装置。