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J-GLOBAL ID：200903004348880897

基板処理装置

Inventor： 油谷 幸則
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001306653
Publication number (International publication number)：2003115518
Application date： Oct. 02, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 変則的な運用時でも自然酸化膜の成長等の弊害の発生を防止する。【解決手段】 マルチチャンバ型CVD装置は、負圧に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された負圧移載室10と、負圧移載室10に設置されてウエハWを移載する負圧移載装置12と、ロードロックチャンバ構造に構成されて負圧移載室10の手前に連設された搬入室20、搬出室30、バッファ室40と、正圧を維持可能な構造に構成された正圧移載室50と、正圧移載室50に設置されて搬入室20、搬出室30およびバッファ室40とポッド載置台61との間でウエハWを移載する正圧移載装置52と、負圧移載室10の後側に設置された複数のCVDユニット71、72、73、74とを備えている。【効果】 変則的運用時には減圧可能なバッファ室40にウエハWを一時的に蓄えることで自然酸化膜の生成等の弊害の発生を防止できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一つの基板処理部がゲートバルブを介し連結され基板移載装置が設置された第一の移載室と、基板を収納するキャリアに対し基板を出し入れする基板移載装置が設置された第二の移載室とを有し、前記第一の移載室と第二の移載室との間にゲートバルブを介して一枚以上の基板を収容する基板収容室を少なくとも三つ連結し、これらの基板収容室が減圧可能に構成されているとともに、そのうちの一室が前記基板を一時的に蓄えるバッファ室として使用されることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/68 A ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/31 B

F-Term (44)：

4K030BA01 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA12 ,  4K030KA08 ,  4K030KA11 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031DA01 ,  5F031EA14 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA15 ,  5F031GA43 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031MA04 ,  5F031MA09 ,  5F031MA23 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA30 ,  5F031MA32 ,  5F031NA03 ,  5F031NA05 ,  5F031NA09 ,  5F031PA26 ,  5F031PA30 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05