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J-GLOBAL ID：200903004349162246

半導体ウェハ洗浄薬品中の金属不純物除去方法

Inventor： 沖 一郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993012428
Publication number (International publication number)：1994224169
Application date： Jan. 28, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【構成】 フッ酸又はバッファフッ酸101中に微量含まれる金属不純物を、これらの薬品中へのシリコンウェハ104の出し入れを繰り返して、シリコンウェハ表面に付着させて除去する。【効果】 従来の方法では除去しにくいフッ酸、バッファフッ酸中の金属不純物の除去が容易になり、半導体基板洗浄の際の金属不純物汚染による素子特性劣化が抑制される。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの洗浄に使用する希フッ酸(HF)又はバッファフッ酸(NH4F+HF)中に含まれる金属不純物を、シリコンウェハのこれらの薬品中への浸漬と、薬品中からの取出しを繰り返して、シリコンウェハ表面に金属不純物を付着させて除去することを特徴とする、半導体ウェハ洗浄薬品中の金属不純物除去方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  C02F 1/62 ,  C02F 1/64