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J-GLOBAL ID：200903004353313666
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106057
Publication number (International publication number)：1995297495
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザダイオードの出力効率の向上【構成】 活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、(11-20)面(a面)を主面とするサファイア基板と、サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0 ≦x ≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の<0001>(c軸)に平行にへき開して形成された鏡面とを有することを特徴とする。端面の平行度及び鏡面度が高くなる結果、レーザの出力効率が向上した。
Claim (excerpt)：
活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、(11-20)面(a面)を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、前記ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、前記多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の<0001>(c軸)に平行にへき開して形成された鏡面と、を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
IPC (2)：
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