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J-GLOBAL ID：200903004358253580

pin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路

Inventor： 吉田 毅 ,  大友 祐輔
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998283144
Publication number (International publication number)：1999191633
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 空乏層化用電源として高い空乏層化用電圧が得られる電源を必要としないpin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路を提供すること。【解決手段】 SOI基板1上に形成されたpin型フォトダイオードにおいて、そのi型半導体領域5を覆うように空乏層化用電極21を形成し、i型半導体領域5を空乏化させる。

Claim (excerpt)：

SOI基板上に形成されたpin型フォトダイオードにおいて、そのi型半導体領域を覆うように空乏層化用電極を形成し、前記i型半導体領域を空乏化させることを特徴とするpin型半導体受光素子。