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J-GLOBAL ID：200903004359767219

ハイブリットカードの製造方法

Inventor： 長野 和美 ,  平岡 美津穂 ,  今滝 寛之 ,  田辺 浩 ,  小川 善広
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993314051
Publication number (International publication number)：1995147037
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 磁気ストライプ位置の位置精度が高く、かつ光カード基板面の鏡面性に優れた高品位のハイブリットカードを簡単な工程で提供する。【構成】 磁気ストライプと光記録層を有するハイブリットカードの製造方法に於いて、該磁気ストライプと光記録用のプリフォーマットパターンを有する基板を注型成形、押出成形、熱プレス成形又はインジェクション成形で同時に一体化して形成するハイブリットカードの製造方法。

Claim (excerpt)：

磁気ストライプと光記録層を有するハイブリットカードの製造方法に於いて、該磁気ストライプと光記録用のプリフォーマットパターンを有する基板を注型成形で同時に一体化して形成する事を特徴とするハイブリットカードの製造方法。

IPC (4)：

G11B 13/04 ,  B42D 15/10 501 ,  B42D 15/10 511 ,  G06K 19/06

FI (2)：

G06K 19/00 B ,  G06K 19/00 C